納米氮化硼
納米氮化硼 http://www.shcbnano.com/a/chanpinzhanshi/namidanhuawufen/2017/0206/172.html
納米氮化硼產品說明
性能特點
納米氮化硼粉通過高頻等離子氣相合成法制備,粉體純度高,不含有氯化銨雜質,粒徑小,比表面積大,高表面活性,晶體結構具有類似石墨層狀結構,呈現松散,潤滑,易吸潮(改性后可以克服吸潮問題),質量輕等性狀;干潤滑能力,化學性質穩定,低熱膨脹系數,高溫下好的高導熱絕緣材料;硬度接近金剛石,熱穩定性和化學特性優于其它材料。
產品參數
產品應用
1晶體管的熱封干燥劑和塑料樹脂橡膠涂料等聚合物的高導熱絕緣添加劑;
2高導熱絕緣膠、導熱塑料、導熱膠片等高導熱絕緣填料;
3鉆頭、研磨材料、切削工具;
4高溫潤滑劑、脫模劑;
5高壓高頻電及等離子弧的絕緣體、自動焊接耐高溫支架的涂層、高頻感應電爐的材料、半導體的固相摻合料、原子反應堆的結構材料、防止中子輻射的包裝材料、雷達的傳遞窗、雷達天線的介質和火箭發動機的組成物等。
包裝儲存
本品為充惰氣塑料袋包裝,密封保存于干燥、陰涼的環境中,不宜暴露空氣中,防受潮發生氧化團聚,影響分散性能和使用效果;包裝數量可以根據客戶要求提供,分裝。
納米氮化硼產品說明
首個10納米以下碳納米管晶體管問世
據美國物理學家組織網2月2日(北京時間)報道,來自IBM、蘇黎世理工學院和美國普渡大學的工程師近日表示,他們構建出了首個10納米以下的碳納米管(CNT)晶體管,而這種尺寸正是未來十年計算技術所需的。這種微型晶體管能有效控制電流,在極低的工作電壓下,仍能保持出眾的電流密度,甚至可超過同尺寸性能最好的硅晶體管的表現。相關研究報告發表在最新一期的《納米快報》雜志上。
很多科研小組都致力研發小尺寸的晶體管,以切合未來計算技術對于更小、更密集的集成電路的需要。但現有的硅基晶體管一旦尺寸縮小,就會失去有效控制電流的能力,即產生所謂的“短溝道效應”。
在新研究中,科研人員舍棄硅改用單壁碳納米管進行實驗。碳納米管具有出色的電氣性能和僅為直徑1納米至2納米的超薄“身軀”,這使其在極短的通道長度內也能保持對電流的閘門控制,避免“短溝道效應”的生成。而IBM團隊研制的10納米以下碳納米管晶體管首次證明了這些優勢。
科學家表示,理論曾預測超薄的碳納米管將失去對于電流的閘門控制,或減少輸出時的漏極電流飽和,而這都會導致性能的降低。此次研究的最大意義在于,證明了10納米以下的碳納米管晶體管也能表現良好,且優于同等長度性能最佳的硅基晶體管,這標志著碳納米管可成為規模化生產晶體管的可行備選。
工程師在同一個納米管上制造出若干個獨立的晶體管,其中最小一個的通道長度僅為9納米,而這個晶體管也表現出了極好的轉換行為和漏極電流飽和,打破了理論的預言。當與性能最佳,但設計和直徑不同的10納米以下硅基晶體管進行對比時,9納米的碳納米管晶體管具有的直徑歸一化(漏)電流密度,可達到硅晶體管的4倍以上。而且其所處的工作電壓僅為0.5伏,這對于降低能耗十分重要。此外,超薄碳納米管晶體管的極高效能也顯示出了其在未來計算技術中大規模使用的潛力