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納米銅鎳合金粉 http://www.shcbnano.com/a/chanpinzhanshi/zikongfamen/95.html
直銷供應(yīng)商納米銅鎳合金粉
松下32納米制程LSI本月正式量產(chǎn)
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今年10月起,松下開始以32納米制程批量生產(chǎn)大規(guī)模集成電路(LSI),LSI(Large-scale integration)將應(yīng)用于松下支持3D放映的藍(lán)光播放器中。32納米制程的LSI在今年春季首次被美國英特爾應(yīng)用于筆記本電腦中而實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),此次松下把32納米制程的LSI應(yīng)用于旗下家電制造中在業(yè)界還是首次。
32納米制程的LSI將在松下位于日本富山縣魚津市的工廠內(nèi)開始量產(chǎn),由于該工廠目前已經(jīng)在批量生產(chǎn)目前世界最先進(jìn)的45納米制程的LSI,多數(shù)生產(chǎn)設(shè)備可以繼續(xù)利用以生產(chǎn)32納米制程的LSI,因而松下僅需付出少量資金用于更新生產(chǎn)設(shè)備。目前,松下并沒有公布量產(chǎn)規(guī)模及投資金額,不過松下將會把更新生產(chǎn)設(shè)備的投資金額控制在250億日元之內(nèi)。
和現(xiàn)有的45nm工藝相比,32nm工藝在以下幾個方面有著顯著的變化:32nm工藝使用第二代高-K金屬柵級、0.9nm等價(jià)氧化物厚度高-K(45nm技術(shù)是1nm)、金屬柵級工藝流程更新、30nm柵極長度、第四代應(yīng)變硅、有史以來最緊密的柵極間距(第一代32nm技術(shù)將使112.5nm柵極間距)、有史以來最高的驅(qū)動電流、晶體管性能提升22%、同比封裝尺寸將是45nm工藝產(chǎn)品的70%。
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相對于45nm工藝,NMOS晶體管的漏電量減少5倍多,PMOS晶體管的漏電量則減少10倍以上。由于上述改進(jìn),電路的尺寸和性能均可得到顯著優(yōu)化。